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| 规格书 |
 SCH1334 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 12V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 215 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.3V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 1.6nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 120pF @ 6V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-SMD, Flat Leads |
| 供应商器件封装 | 6-SCH |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6Case SCH |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A |
| RDS -于 | 215@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 4.9 ns |
| 典型上升时间 | 17.5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 典型下降时间 | 16.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 0.56 |
| 最大功率耗散 | 800 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 215@4.5V |
| 最大漏源电压 | 12 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 1.5 |
| 供应商封装形式 | Case SCH |
| 包装长度 | 1.6 |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.6A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.3V @ 1mA |
| 封装/外壳 | 6-SMD, Flat Leads |
| 供应商设备封装 | 6-SCH |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 215 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 120pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.6nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 120pF @ 6V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 215 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.6nC @ 4.5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
| 封装/外壳 | 6-SMD, Flat Leads |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
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